Выращивание вискеров кремния методом пар-жидкость-кристалл

dc.contributor.authorГорбик, П.П.
dc.contributor.authorДубровин, И.В.
dc.contributor.authorДемченко, Ю.А.
dc.contributor.authorФилоненко, М.Н.
dc.contributor.authorДадыкин, А.А.
dc.date.accessioned2019-02-10T11:20:09Z
dc.date.available2019-02-10T11:20:09Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractРазработана методика получения на полированной поверхности кремния регу­лярных областей со статистически распределёнными наноразмерными частицами золота. Исследованы процессы формирования нановискеров кремния методом пар-жидкость-кристалл. Изучена их структура, морфология и эмиссионные характе­ристики.uk_UA
dc.description.abstractA method of fabrication of regular areas with randomly distributed gold nanoparticles on polished silicon surfaces has been developed. The processes of silicon whiskers formation by the "vapor-liquid-crystal" technique have been investigated. The structure, morphology and emission properties of whiskers have been studied.uk_UA
dc.identifier.citationВыращивание вискеров кремния методом пар-жидкость-кристалл / П.П. Горбик, И.В. Дубровин, Ю.А. Демченко, М.Н. Филоненко, А.А. Дадыкин // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 294-300. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2617-5975
dc.identifier.udc538.975;533.2
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146641
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofПоверхность
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНанотехнологии на наноматериалыuk_UA
dc.titleВыращивание вискеров кремния методом пар-жидкость-кристаллuk_UA
dc.title.alternativeGrowth of silicon viskers by vapor-liquid-crystal methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
137-Gorbyk.pdf
Розмір:
276.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: