Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ

dc.contributor.authorКривенко, Е.В.
dc.contributor.authorКириченко, А.Я.
dc.contributor.authorЛуценко, В.И.
dc.date.accessioned2010-08-06T15:55:12Z
dc.date.available2010-08-06T15:55:12Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractИсследованы добротности собственных колебаний аксиально-слоистой структуры, состоящей из слоя смеси портланд-цемента с песком, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности исследуемого образца приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние компонентного состава диэлектрика, прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально-слоистой структурой от компонентного состава и влажности диэлектрика.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено добротності власних коливань аксиально-шаруватої структури, що складається із шару суміші портландцементу та піску, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічної поверхні досліджуваного зразка приводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної і уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив компонентного складу діелектрика, прицільної відстані на частоту і добротність резонансу. Отримано залежності зміни частоти і крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксиально-шаруватою структурою від компонентного складу і вологості, діелектрика.uk_UA
dc.description.abstractThe Q-factors of characteristic oscillations of axialflaky structure that consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonators are investigated. We ascertained that bringing into the resonator field parallel to its lateral face at some aiming distance of dielectric example leads to resonator eigenfrequencies and Q-factor changing the more, the higher the real and imaginary parts of investigated material permittivity. Influence of dielectric component composition, its thickness and aiming distance on resonance frequency and Q-factor is investigated. The dependences of frequency and electronic tuning steepness of self-excited oscillator on basis of Gunn diode stabilized of axially flaky structure on dielectric component composition and moisture are obtained.uk_UA
dc.identifier.citationИспользование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ / Е.В. Кривенко, А.Я. Кириченко, В.И. Луценко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 416-420. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1028-821X
dc.identifier.udc621.372.413
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10801
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectПрикладная радиофизикаuk_UA
dc.titleИспользование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществuk_UA
dc.title.alternativeВикористання методу діелектрометрії для визначення компонентного складу сумішів сипучих речовинuk_UA
dc.title.alternativeDetermination of composition blend of loose substance with use of the dielectrometric methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
18 - Krivenko.pdf
Розмір:
257.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
908 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: