Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШпак, А.П.
dc.contributor.authorПокутній, С.І.
dc.contributor.authorУваров, В.М.
dc.contributor.authorПокутній, М.С.
dc.date.accessioned2010-06-14T10:18:29Z
dc.date.available2010-06-14T10:18:29Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractВиявлено ефект значного збiльшення енергiї зв’язку екситона Eex(a) в квантових точках (КТ) селенiду та сульфiду кадмiю з радiусами a, сумiрними з борiвськими радiусами екситону aex, у 7,4 та 4,5 разiв вiдповiдно, порiвняно з енергiєю зв’язку екситону у монокристалах CdSe та CdS.uk_UA
dc.description.abstractThe effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton Eex(a) in quantum dots made of CdSe and CdS with radii a ≈ aex (by 7.4 and 4.5 times, respectively) in comparison with the binding energy of an exciton in monocrystals of CdSe and CdS is found out.uk_UA
dc.identifier.citationЕнергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках / А.П. Шпак, С. I. Покутнiй, В.М. Уваров, М.С. Покутнiй // Доп. НАН України. — 2009. — № 6. — С. 90-94. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1025-6415
dc.identifier.udc535.34
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8653
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавничий дім "Академперіодика" НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФізикаuk_UA
dc.titleЕнергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точкахuk_UA
dc.title.alternativeBinding energy of an exciton in semiconductor quantum dotsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Shpak.pdf
Розмір:
209.63 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
903 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Доповіді НАН України, 2009, № 06