Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
| dc.contributor.author | Бобренко, Ю.Н. | |
| dc.contributor.author | Ярошенко, Н.В. | |
| dc.contributor.author | Шереметова, Г.И. | |
| dc.contributor.author | Семикина, Т.В. | |
| dc.contributor.author | Атдаев, Б.С. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-29T17:16:22Z | |
| dc.date.available | 2013-12-29T17:16:22Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· | uk_UA |
| dc.description.abstract | Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару. | uk_UA |
| dc.description.abstract | High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Функциональная микро- и наноэлектроника | uk_UA |
| dc.title | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS | uk_UA |
| dc.title.alternative | Фотоприймачи ультрафіолетового випромінювання на основі тонких плівок ZnS | uk_UA |
| dc.title.alternative | Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 08-Bobrenko.pdf
- Розмір:
- 190.73 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: