Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты.

Abstract

Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам.

Показано, що тонка структура лінії поперечної електронної фокусировки (ЕФ) в кристалі висмуту зв'язана з появою дифракції електронного потоку, який тече в кристал через мікроконтакт. В методі ЕФ балістичний транспорт електронів на циклотронній траєкторії зберігає неоднорідний кутовий розподіл дифрагованих електронів, який з'являється на фоні першої лінії ЕФ у вигляді додаткових максимумів. Становище максимумів та їх зміщення по магнітному полю при зміні енергії електронів відповідає теоретичним розрахункам.

11 is shown that the fine structure of the transverse electron focusing (EF) line in bismuth crystal is determined by diffraction of the electron flow injected into the crystal through a point contact. In the EF method, ballistic transporl of the electrons along cyclotron trajectory retains unhomogeneous angular distribuiion of the electrons diffracied. This is seen as extra peaks against the background of the first EF line. The positions of the peaks and their shift in the magnetic field with the electron energy correspond to theoretical calculations.