Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMazur, Yu.I.
dc.date.accessioned2017-03-11T16:04:03Z
dc.date.available2017-03-11T16:04:03Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractPeculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminescence behaviour observed can be well described by the model of a magnetically trapped exciton.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено особливості фотолюмінесценції у вузькозонних твердих розчинах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) у випадку комбінованого впливу магнітного поля та температури. Виявлено сильне резонансне підсилення крайової люмінесценції та звуження ширини її лінії до значень < 2,5 meV. Спостережувана поведінка фотолюмінесценції інтерпретується ,в рамках моделі магніто-захопленого екситона.uk_UA
dc.description.abstractИсследованы особенности фотолюминесценции в узкозонных твердых растворах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) при комбинированном воздействии магнитного поля и температуры. Обнаружено сильное резонансное усиление краевой люминесценции и сужение ширины ее линии до значений < 2,5 meV. Наблюдаемое поведение фотолюминесценции интерпретируется в рамках модели магнито-захваченного экситона.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe author would like to acknowledge Prof. G. G. Tarasov and Dr. J. W. Tomm for a number of helpful and illuminating discussions, and Dr. O. A. Bodnaruk for supplying highquality Hg₁₋xMnxTe single crystals.uk_UA
dc.identifier.citationStrong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 75.50.Pp, 78.20.Ls, 78.55.Et
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114666
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleStrong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTeuk_UA
dc.title.alternativeСильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hg₁₋xMnxTeuk_UA
dc.title.alternativeСильное влияние магнитного поля на ширину линии краевой люминесценции в разбавленных магнитных узкозонных полупроводниках Hg₁₋xMnxTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Mazur.pdf
Розмір:
297.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1