Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKladko, V.P.
dc.contributor.authorDatsenko, L.I.
dc.contributor.authorMaksimenko, Z.V.
dc.contributor.authorLytvyn, O.S.
dc.contributor.authorProkopenko, I.V.
dc.contributor.authorZytkiewicz, Z.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:16:49Z
dc.date.available2017-06-13T16:16:49Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractStoichiometry parameters as well as the microdefects ones for GaAs:Si/GaAs thin films grown by liquid-phase epitaxy were investigated by means of method of X-ray integrated reflectivity energy dependencies analysis for quasiforbidden reflections (200) in the interval of wavelengths near absorption K-edges of GaAs components.uk_UA
dc.identifier.citationStructural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 343-348. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.10.E, N; 61.72.D; 68.55.L
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121168
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleStructural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxyuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Kladko.pdf
Розмір:
272.76 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 3