Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛіщинська, Л.Б.
dc.date.accessioned2011-12-25T17:52:07Z
dc.date.available2011-12-25T17:52:07Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThe mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.uk_UA
dc.identifier.citationМатематична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issnXXXX-0068
dc.identifier.udc621.317
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29661
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofМоделювання та інформаційні технології
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleМатематична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Lishchina.pdf
Розмір:
119.56 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
919 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Моделювання та інформаційні технології, 2011, вип. 59