Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою

dc.contributor.authorБіщанюк, Т.М.
dc.contributor.authorГригорчак, І.І
dc.contributor.authorІващишин, Ф.О.
dc.date.accessioned2016-11-05T17:48:51Z
dc.date.available2016-11-05T17:48:51Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractПредставлено результати досліджень характеристик інтеркаляційно розширених напівпровідникових матриць InSe та GaSe з інкапсульованим між їхніми шарами β-циклодекстрином (β-СD). Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута втрат та діелектричної проникності синтезованих архітектур залежно від вмісту органічного кавітанду при освітленні і в магнітному полі. Знайдено умови, при яких синтезовані наногібриди будуть цікавими з точки зору сенсорів електромагнітного поля та квантових акумуляторів електричної енергії.uk_UA
dc.description.abstractПредставлены результаты исследований характеристик интеркаляционных расширенных полупроводниковых матриц InSe и GaSe с инкапсулированным между их слоями β-циклодекстрином (β-СD). Установлен характер изменений частотной дисперсии импеданса, тангенса угла потерь и диэлектрической проницаемости синтезированных архитектур в зависимости от содержания органического кавитанда при освещении и в магнитном поле. Найдены условия, при которых синтезированы наногибриды будут интересны с точки зрения сенсоров электромагнитного поля и квантовых аккумуляторов электрической энергии.uk_UA
dc.description.abstractThe research results of characteristics of extended semiconductor InSe and GaSe matrix by intercalation with encapsulated between their layers of β-cyclodextrin (β-CD) were presented. The character of changes of the impedance frequency dispersion, loss tangent and dielectric constant of the synthesized architectures depending on the content of organic kavitand at light and in the magnetic field was set. The conditions under which synthesized nanohybrides will be interesting in terms of electromagnetic field sensors and quantum battery electric energy were found.uk_UA
dc.identifier.citationМультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою / Т.М. Біщанюк, І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 360-371. — Бібліогр.: 24 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc621.315.5
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108477
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleМультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системоюuk_UA
dc.title.alternativeМультипошаровые полупроводниковые клатрато-кавитандные комплексы из фрактализованой гостевой системойuk_UA
dc.title.alternativeMultilayer semiconductor clathrates-cavitand complex with a fraktal guest systemuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
05-BischanukNEW.pdf
Розмір:
1.92 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: