Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности

dc.contributor.authorНиколаенко, В.А.
dc.contributor.authorСмородин, А.В.
dc.date.accessioned2015-01-26T19:54:35Z
dc.date.available2015-01-26T19:54:35Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractВ работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах.uk_UA
dc.description.abstractУ статті використовується квазиодновимірна система поверхневих електронів (ПЕ) над надплинним гелієм у якості класичного моделю твердотільного напівпровідника. Виконано експериментальні дослідження кінетики поведінки електронів у вузьких каналах у присутності заряду на підложжі. Хід температурної залежности в цих умовах має східчастий характер за температури нижче 1,3 К; параметри сходів у різних випробуваннях є різними. Подібний характер залежности не описується класичними моделями переносу заряду, де враховується розсіяння електронів у каналах на атомах гелію в парі та риплонах. Вважається, що така залежність є виявленням квантового характеру переносу в електронних каналах.uk_UA
dc.description.abstractQuasi-one-dimensional system of the surface electron (SE) over superfluid helium is used as a classical model for a solid-state quantum conductor. Experimental investigations of electron kinetics in narrow channels in the presence of charge on the substrate are carried out. The course of temperature dependence under such conditions demonstrates stepwise behaviour at temperatures lower than 1.3 K, and parameters of steps in different experiments are varying. Classical models of charge transfer do not describe a similar character of this dependence, when electrons scattering in channels on atoms of helium in steam and ripplons is considered. It is supposed that such dependence demonstrates quantum behaviour of charge transfer in electronic channels.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1816-5230
dc.identifier.otherPACS numbers: 67.25.-k, 67.30.-n, 67.80.-s, 73.20.-r, 73.25.+i, 73.90.+f, 85.30.De
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75147
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofНаносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleВлияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерностиuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Nikolaenko.pdf
Розмір:
152.75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: