Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method

dc.contributor.authorSheremet, V.N.
dc.date.accessioned2017-05-30T10:32:07Z
dc.date.available2017-05-30T10:32:07Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractIn this paper, we have considered the four-contact method for measurements of the specific contact resistivity of the ohmic contacts (ρc). The presented method for measuring ρc has been compared with several other methods. Limits of applying this method have been shown.uk_UA
dc.identifier.citationMetrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method / V.N. Sheremet // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 73.40.Ns, 73.40.Cg, 85.40.-e
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118426
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleMetrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
15-Sheremet.pdf
Розмір:
1.83 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: