Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDaweritz, L.
dc.contributor.authorGrahn, H.
dc.contributor.authorHey, R.
dc.contributor.authorJenichen, B.
dc.contributor.authorPloog, K.
dc.contributor.authorKorbutyak, D.
dc.contributor.authorKrylyuk, S.
dc.contributor.authorKryuchenko, Yu.
dc.contributor.authorLitovchenko, V.
dc.date.accessioned2017-03-11T16:09:34Z
dc.date.available2017-03-11T16:09:34Z
dc.date.issued1998
dc.description.abstractGaAs/AlAs supelattices with corrugated interfaces have been investigated by the polarized photoluminescence method. Using the theoretical approach, which associates the linear polarization of exciton photoluminescence with the corrugation parameters, experimental results have been fitted to determine the height and lateral extension of corrugations.uk_UA
dc.description.abstractМетодом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей.uk_UA
dc.description.abstractМетодом поляризованной фотолюминесценции исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs с корругированными гетерограницами. Путем сравнения експериментальных результатов с теоретическими расчетами, базирующимися на модели, которая связывает степень линейной поляризации экситонной фотолюминесценции з параметрами корругованностей, определены высота и латеральная протяженность корругованностей.uk_UA
dc.description.sponsorshipThis work was supported by a NATO Linkage Grant and by the Ukrainian Committee for Science and Technology.uk_UA
dc.identifier.citationCharacteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 45-49. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 68.65.
dc.identifier.udc621.315
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114668
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleCharacteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlatticesuk_UA
dc.title.alternativeХарактеристики коругованостi інтерфейсу в короткоперіодних надгратках GaAs/AlAsuk_UA
dc.title.alternativeХарактеристики корругированности интерфейса в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Daweritz.pdf
Розмір:
282.81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1