Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЙулдашев, Х.Т.
dc.contributor.authorАхмедов, Ш.С.
dc.contributor.authorРустамов, У.С.
dc.contributor.authorЭргашев, К.М.
dc.date.accessioned2017-07-15T14:39:57Z
dc.date.available2017-07-15T14:39:57Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractВ статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения.uk_UA
dc.description.abstractУ статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення.uk_UA
dc.description.abstractResults of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2519-2485
dc.identifier.udc621.393.3:621.382:621.385
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofЖурнал физики и инженерии поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleИсследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системеuk_UA
dc.title.alternativeДослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системіuk_UA
dc.title.alternativeStudy of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization systemuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Iuldashev.pdf
Розмір:
1.51 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, № 1