Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения

Abstract

Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.

Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання.

A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays.