Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБосый, В.И.
dc.contributor.authorДанилов, Н.Г.
dc.contributor.authorКохан, В.П.
dc.contributor.authorНовицкий, В.А.
dc.contributor.authorСемашко, Е.М.
dc.contributor.authorТкаченко, В.В.
dc.contributor.authorШпоняк, Т.А.
dc.date.accessioned2014-01-07T18:58:06Z
dc.date.available2014-01-07T18:58:06Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractПолучены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52813
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleФормирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодовuk_UA
dc.title.alternativeФормування прозорих омічних контактів до р-GaN для світловипромінюючих діодівuk_UA
dc.title.alternativeFormation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light emitting diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Bosiy.pdf
Розмір:
109.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 3