Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorLysenko, V.S.
dc.contributor.authorTyagulski, I.P.
dc.contributor.authorGomeniuk, Y.V.
dc.contributor.authorOsiyuk, I.N.
dc.date.accessioned2017-06-05T16:19:41Z
dc.date.available2017-06-05T16:19:41Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractOperation of n-channel MOSFET was studied at low temperatures. It has been shown that the charge state of shallow traps in the Si/SiO₂ interface is responsible for the hysteresis of transistor drain characteristics in the prekink region. Thermally activated emptying of these traps leads to the sharp decrease of the current in the subthreshold mode of transistor operationuk_UA
dc.identifier.citationEffect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 75-81. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 68.35, 72.20.J, 73.20, 73.40,85.30.T
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119246
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleEffect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Lysenko.pdf
Розмір:
242.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 2