Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
dc.contributor.author | Ильин, И.Ю. | |
dc.contributor.author | Конакова, Р.В. | |
dc.contributor.author | Миленин, В.В. | |
dc.contributor.author | Ренгевич, А.Е. | |
dc.contributor.author | Соловьев, Е.А. | |
dc.contributor.author | Приходенко, В.И. | |
dc.date.accessioned | 2015-03-13T20:27:35Z | |
dc.date.available | 2015-03-13T20:27:35Z | |
dc.date.issued | 2001 | |
dc.description.abstract | До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. | uk_UA |
dc.description.abstract | Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. | uk_UA |
dc.description.abstract | The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
dc.identifier.udc | 621.382.2 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Вопросы атомной науки и техники | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах | uk_UA |
dc.title | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: