Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов

Abstract

Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры.

The influence of the isotopic composition of the components of semiconductor compounds on the structure of the energy bands Ef,n is discussed. The respective roles of changes in the volume of the unit cell of the crystal and of renormalization of the electron–phonon interaction upon changes in the isotopic composition are considered. For the case of monoatomic systems in the virtual crystal approximation a universal relation is obtained for the dependence of the bands on the composition and temperature.