Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов

Abstract

Исследована комплексная проводимость электронных кристаллов с поверхностной плотностью (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в условиях динамического перехода. Измерения проведены при температурах 70–90 мК, что существенно ниже температур плавления в термодинамически равновесных условиях. Переход наблюдается при увеличении ведущего электрического поля в плоскости электронного слоя и сопровождается скачками обеих компонент обратной проводимости слоя при достижении критического значения поля. Определена зависимость критического поля от поверхностной плотности электронного слоя.

Досліджено комплексну провідність електронних кристалів з поверхневою густиною (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в умовах динамічного переходу. Вимірювання проведено при температурах 70–90 мК, що суттєво нижче температур плавлення в умовах термодинамічної рівноваги. Перехід спостерігається при збільшенні ведучого електричного поля в площині електронного шару та супроводжується стрибками обох компонент зворотної провідності при досягненні критичного значення поля. Знайдено залежність критичного поля від поверхневої густини електронного шару.

The complex admittance of the electron crystals with a surface density of (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) cm⁻² is studied under dynamic transition. The measurements are performed at temperatures 70–90 mK, which are essentially lower than the melting temperature at thermodynamic equilibrium. The transition is observed with increasing the driving electric field in an electron layer. It is accompanied by jumps of both components of the inverse conductivity of the layer at a critical field. The dependence of critical field on electron surface density is found.