Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
| dc.contributor.author | Ёдгорова, Д.М. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-14T21:10:48Z | |
| dc.date.available | 2013-12-14T21:10:48Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Электронные средства: исследования, разработки | uk_UA |
| dc.title | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 01-Edgorova.pdf
- Розмір:
- 112.41 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: