Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКруковский, С.И.
dc.contributor.authorСыворотка, Н.Я.
dc.date.accessioned2014-01-06T20:14:28Z
dc.date.available2014-01-06T20:14:28Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractОпределены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.uk_UA
dc.identifier.citationСвойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалыuk_UA
dc.titleСвойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементамиuk_UA
dc.title.alternativeВластивості епітаксіальних шарів GaAs, легованих рідкісноземельними елементамиuk_UA
dc.title.alternativeRear earth doped epitaxial layers of GaAs propertiesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-KrukovskyNEW.pdf
Розмір:
330.24 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 2