Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Abstract

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.

Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації.

Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented.