Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror

dc.contributor.authorPershyn, Y.P.
dc.contributor.authorChumak, V.S.
dc.contributor.authorShypkova, I.G.
dc.contributor.authorMamon, V.V.
dc.contributor.authorDevizenko, A.Yu.
dc.contributor.authorKondratenko, V.V.
dc.contributor.authorReshetnyak, M.V.
dc.contributor.authorZubarev, E.N.
dc.date.accessioned2018-06-17T10:28:43Z
dc.date.available2018-06-17T10:28:43Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractWC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested.uk_UA
dc.description.abstractМетодами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si.uk_UA
dc.description.abstractМетодами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si.uk_UA
dc.description.sponsorshipYPP acknowledges ISKCON for the help in understanding the place and the meaning of this study.uk_UA
dc.identifier.citationGrowth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS: 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50.+h, 07.85.Fv
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика и технология конструкционных материаловuk_UA
dc.titleGrowth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirroruk_UA
dc.title.alternativeРіст та структура багатошарових рентгенівських дзеркал WC/Siuk_UA
dc.title.alternativeРост и структура многослойных рентгеновских зеркал WC/Siuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
12-Pershyn.pdf
Розмір:
1.03 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: