Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe₃. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe₂) не позволяет получать микрорельефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким содержанием Se (GeSe₈) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорельефных структур при записи информации на диски-оригиналы.

The results of experimental studies on recording of micro-relief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photo-resist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the micro-relief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photo-resists of GeSe₃. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe₂) did not allow getting the micro-relief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe₈) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the micro-relief structures for recording information on disks-originals.