Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
dc.contributor.author | Вербицкий, В.Г. | |
dc.contributor.author | Осинский, С.В. | |
dc.contributor.author | Сариков, А.В. | |
dc.date.accessioned | 2016-04-15T07:36:46Z | |
dc.date.available | 2016-04-15T07:36:46Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур. | uk_UA |
dc.description.abstract | Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів. | uk_UA |
dc.description.abstract | The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
dc.identifier.udc | 535.37 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света | uk_UA |
dc.title.alternative | Іонна стимуляція отримання твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v для діодних джерел білого світла | uk_UA |
dc.title.alternative | Ionic stimulation ofreceipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 11-Verbitsky.pdf
- Розмір:
- 240.97 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: