Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с заданной топологией плоских дефектов

Abstract

Исследована проводимость в базисной плоскости монокристаллов Y–Вa–Cu–O и Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с системой однонаправленных двойниковых границ. Показано, что частичная замена Y на Pr приводит к образованию двух сверхпроводящих фаз с различными критическими температурами. Примеси Pr являются эффективными центрами рассеяния нормальных и флуктуационных носителей. При этом слабое (до z ≈ 0,05) допирование празеодимом монокристаллов Y–Ba–Cu–O способствует значительному сужению температурного интервала реализации псевдощелевого состояния в ab-плоскости.

Досліджено провідність в базісній площині монокристалів Y–Ba–Cu–O та Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ з системою односпрямованих двійникових меж. Показано, що часткова заміна Y на Pr викликає утворення двох надпровідних фаз з різними критичними температурами. Домішки Pr є ефективними центрами розсіювання нормальних і флуктуаційних носіїв. При цьому незначне (до z ≈ 0,05) допування празеодимом монокристалів Y–Ba–Cu–O сприяє значному звуженню температурного інтервалу реалізації псевдощілинного стану в ab-площині.

Conductivity is studied in the basal plane of Y–Âa–Cu–O and Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals with a system of unidirectional twin boundaries. It is shown that a partial replacement of Y with Pr gives rise to two superconducting phases with different critical temperatures. The Pr impurities are efficient centers of scattering for normal and fluctuation carriers. A weak Pr doping (up to z ≈ 0.05) of Y–Ba–Cu–O single crystals involves a considerable decrease in the temperature range of realization of the pseudo-gap state in the ab-plane.