Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
| dc.contributor.author | Добровольский, Ю.Г. | |
| dc.date.accessioned | 2014-01-14T22:50:20Z | |
| dc.date.available | 2014-01-14T22:50:20Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.description.abstract | Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Функциональная микро- и наноэлектроника | uk_UA |
| dc.title | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод | uk_UA |
| dc.title.alternative | Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод | uk_UA |
| dc.title.alternative | Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 09-Dobrovolsky.pdf
- Розмір:
- 88.1 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: