Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии

Abstract

Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов и описано поведение дырок в высокоомном кремнии, выращенном методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего изохронного и изотермического отжигов. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дырок в образцах кремния. Показано, что изменения конфигурации дивакансий в кластерах дефектов и в проводящей матрице приводят к росту высоты дрейфовых барьеров и концентрации длинноволновых фононов в проводящей матрице образцов кремния. Определена температурная зависимость высоты дрейфовых барьеров в процессе выдержки при комнатной температуре n-Si.

Розрахована температурна залежність рухливості електронів і описано поведінку дірок у высокоомному кремнію, вирощеному методами Чохральського і безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора і подальшого ізохронного та ізотермічного відпалів. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дірок у зразках кремнію. Показано, що зміни конфігурації дивакансій в кластерах дефектів і в провідній матриці призводять до зростання висоти дрейфових бар'єрів і концентрації довгохвильових фононів у провідній матриці зразків кремнію. Визначена температурна залежність висоти дрейфових бар'єрів у процесі витримки при кімнатній температурі n-Si.

Calculated temperature dependence of the electron mobility and describes the behavior of holes in highresistance silicon Czochralski grown and float zone melting, after irradiation by fast neutrons reactor and a subsequent isochronous and isothermal annealing. In the framework of the elaborated model of defect clusters was calculated temperature dependence of the concentration of electrons and holes in silicon samples. It is shown that the configuration change divacancies in clusters of defects and in conducting matrix leads to increase in the height of the drift barriers and concentration of long-wave phonons in conducting matrix samples of silicon. It was defined temperature dependence of the height of the drift barriers in the process of ageing at room temperature n-Si.