Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorAgaev, F.G.
dc.date.accessioned2017-06-05T16:35:15Z
dc.date.available2017-06-05T16:35:15Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractPhotoelectric properties of polycrystalline silicon films under illumination were investigated. It was shown that polysilicon films with fine grain sizes may be used as short-wave photodetectors, due to presence of shallow p-n junctions at their grain boundaries.uk_UA
dc.identifier.citationShort-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films / F.G. Agaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 91-92. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 85.60.D
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119251
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleShort-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si filmsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Agaev.pdf
Розмір:
46.54 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 2