Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГаркавенко, А.С.
dc.contributor.authorМокрицкий, В.А.
dc.contributor.authorБанзак, О.В.
dc.contributor.authorЗавадский, В.А.
dc.date.accessioned2014-11-08T13:40:19Z
dc.date.available2014-11-08T13:40:19Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractПри облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.uk_UA
dc.description.abstractПри опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.uk_UA
dc.description.abstractDuring irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".uk_UA
dc.identifier.citationИонизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2014.4.50
dc.identifier.udc535.14:621.365.826
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleИонизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылкиuk_UA
dc.title.alternativeІонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша: Теоретичні передумовиuk_UA
dc.title.alternativeIonization annealing of semiconductor crystals. Part one: Theoretical backgrounduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Garkavenko.pdf
Розмір:
361.62 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014, № 4