Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБайдуллаева, А.
dc.contributor.authorВласенко, А.И.
dc.contributor.authorЛомовцев, А.В.
dc.contributor.authorМозоль, П.Е.
dc.date.accessioned2014-11-15T14:26:10Z
dc.date.available2014-11-15T14:26:10Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractИсследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.uk_UA
dc.description.abstractThe volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation.uk_UA
dc.identifier.citationСоздание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСенсоэлектроникаuk_UA
dc.titleСоздание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTeuk_UA
dc.title.alternativeCreation of switching elements with memory on the base of CdTe crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Baidulaeva.pdf
Розмір:
78.22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 3