Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМарончук, И.Е.
dc.contributor.authorКурак, В.В.
dc.contributor.authorАндронова, Е.В.
dc.contributor.authorБаганов, Е.А.
dc.date.accessioned2014-11-11T14:54:37Z
dc.date.available2014-11-11T14:54:37Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractРассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.uk_UA
dc.identifier.citationВыращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.362:621.383
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleВыращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложкиuk_UA
dc.title.alternativeВирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинкиuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Maronchuk.pdf
Розмір:
200.81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6