Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Ш.Д.
dc.contributor.authorВикулин, И.М.
dc.contributor.authorЛенков, С.В.
dc.date.accessioned2014-11-15T18:42:46Z
dc.date.available2014-11-15T18:42:46Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractПоказана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости.uk_UA
dc.identifier.citationКремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.314.26
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleКремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрикаuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Kurmashev.pdf
Розмір:
146.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 6