Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГрибанов, Ю.А.
dc.contributor.authorРингис, В.С.
dc.contributor.authorСкоромный, В.Г.
dc.contributor.authorКутний, В.Е.
dc.contributor.authorРыбка, А.В.
dc.contributor.authorШляхов, И.Н.
dc.date.accessioned2015-03-12T19:18:03Z
dc.date.available2015-03-12T19:18:03Z
dc.date.issued2000
dc.identifier.citationПерспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины / Ю.А. Грибанов, В.С. Рингис, В.Г. Скоромный, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 203-207. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc621.039.564
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78198
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectОблучательная техника, ядерно-физические методы исследования структуры и свойств твердых телuk_UA
dc.titleПерспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украиныuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
43-Grybanov.pdf
Розмір:
194.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4