Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВойтович, И.Д.
dc.contributor.authorЛебедева, Т.С.
dc.contributor.authorШпилевой, П.Б.
dc.contributor.authorЯкопов, Г.В.
dc.date.accessioned2010-03-02T11:50:44Z
dc.date.available2010-03-02T11:50:44Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractРабота посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.uk_UA
dc.identifier.citationРазработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1817-9908
dc.identifier.udc583.945
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6403
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleРазработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излученияuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Voytovich.pdf
Розмір:
288.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2004, № 3