Туннелирование в нормальное состояние металлооксидных сверхпроводников

dc.contributor.authorСвистунов, В.М.
dc.contributor.authorХачатуров, А.И.
dc.contributor.authorБелоголовский, М.А.
dc.contributor.authorЧерняк, О.И.
dc.date.accessioned2021-02-01T14:53:53Z
dc.date.available2021-02-01T14:53:53Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractПоказано, что некоторые принципы, общепринятые в туннельной спектроскопии обычных сверхпроводников, перестают быть справедливыми для металлооксидов. Барьерная характеристика симметричного контакта, образованного двумя металлооксидами с малой энергией Ферми, не обязательно имеет форму параболы. В некоторых случаях в зависимости от параметров барьера в туннельной проводимости может наблюдаться нулевая аномалия типа «пик проводимости». Более того, при больших значениях потенциального барьера или малых его толщинах характеристика убывает во всей исследуемой области напряжений смещения.uk_UA
dc.description.abstractПоказано, що деякі принципи, загально прийняті у тунельній спектроскопії звичайних надпровідників, перестають бути доречними до металооксидів. Бар'єрна характеристика симетричного контакту, утвореного двома металооксидами з малою енергією Фермі, не обов’язково має форму параболи. У деяких випадках у залежності від параметрів бар’єру в тунельної провідності може спостерігатися нульова аномалія типу «пік провідності». Більш того, при великих значеннях потенційного бар’єру або малих його товщинах характеристика спадає по всій дослідженій області напруги зміщення.uk_UA
dc.description.abstractIt is found that some principles that are almost universally accepted in the tunneling spectroscopy of conventional superconductors cease to be true in the spectroscopy of metal oxides. The barrier characteristic for a symmetrical tunnel contact formed by two metal oxides is not always a rough parabola. In some cases depending on the barrier parameters the normal state metal oxide tunneling conductance exhibits a «resistance-type» zero bias anomaly. Moreover, for reasonably large potential barrier height and/or for small barrier thickness this characteristic decreases with voltage throughout the whole range under study.uk_UA
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках проектов «Сэндвич» и «Экситон» при поддержке Государственного ко­ митета Украины по вопросам науки и технологий и гранта Комитета Сороса ISSEP SPU 042058 (ВМС).uk_UA
dc.identifier.citationТуннелирование в нормальное состояние металлооксидных сверхпроводников / В.М. Свистунов, А.И. Хачатуров, М.А. Белоголовский, О.И. Черняк // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 6. — С. 605-608. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175472
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleТуннелирование в нормальное состояние металлооксидных сверхпроводниковuk_UA
dc.title.alternativeTunneling into normal state of metaloxide superconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
01-Svistunov.pdf
Розмір:
571.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: