Диодные реакторные системы микротравления
dc.contributor.author | Фареник, В.И. | |
dc.date.accessioned | 2014-11-12T07:57:23Z | |
dc.date.available | 2014-11-12T07:57:23Z | |
dc.date.issued | 2002 | |
dc.description.abstract | Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты исследований характеристик высокочастотного емкостного разряда и разработки диодных реакторов установок микротравления с малым энерговкладом. | uk_UA |
dc.description.abstract | The development low-power intensive plasma technological equipment is maid on the basis of discharges with combined direct and alternating electrical and magnetic fields. The results of parameter investigations of high-frequency capacitive discharge and development of diode-reactors of the microetching devices with a low-energy deposition are adduced. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Диодные реакторные системы микротравления / В.И. Фареник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 38-42. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
dc.identifier.udc | 533.915;539.23 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70773 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Новое технологическое оборудование для микроэлектроники | uk_UA |
dc.title | Диодные реакторные системы микротравления | uk_UA |
dc.title.alternative | Diode-reactor systems of a microetching | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 08-Farenik.pdf
- Розмір:
- 172.18 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: