Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
| dc.contributor.author | Юлдашев, Х.Т. | |
| dc.contributor.author | Хайдаров, З. | |
| dc.contributor.author | Касымов, Ш.С. | |
| dc.date.accessioned | 2017-05-18T18:44:14Z | |
| dc.date.available | 2017-05-18T18:44:14Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. | uk_UA |
| dc.description.abstract | У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2519-2485 | |
| dc.identifier.udc | 621.393.3: 621.382: 621.385 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Журнал физики и инженерии поверхности | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.title | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами | uk_UA |
| dc.title.alternative | Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами | uk_UA |
| dc.title.alternative | Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 06-YuldashevNEW.pdf
- Розмір:
- 1.15 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: