Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБончик, А.Ю.
dc.contributor.authorИжнин, И.И.
dc.contributor.authorКияк, С.Г.
dc.contributor.authorСавицкий, Г.В.
dc.date.accessioned2014-01-22T23:00:56Z
dc.date.available2014-01-22T23:00:56Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractПоказана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).uk_UA
dc.identifier.citationВлияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleВлияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Siuk_UA
dc.title.alternativeВплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Siuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Bonchik.pdf
Розмір:
84.23 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3