Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

Abstract

We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures.

Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих структурах.