Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДружинин, А.А.
dc.contributor.authorГолота, В.И.
dc.contributor.authorКогут, И.Т.
dc.contributor.authorСапон, С.В.
dc.contributor.authorХоверко, Ю.М.
dc.date.accessioned2014-01-03T23:17:30Z
dc.date.available2014-01-03T23:17:30Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractПредложена структура преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработаны метод формирования трехмерных структур кремний-на-изоляторе и элементы управления автоэмиссионного микрокатода.uk_UA
dc.identifier.citationПриборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, С.В. Сапон, Ю.М. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 43-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52488
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleПриборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодовuk_UA
dc.title.alternativeПриладо-технологічне моделювання автоемісійних кремнієвих мікрокатодівuk_UA
dc.title.alternativeDevice-technological simulation of field emission silicon microcathodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Druzhinin.pdf
Розмір:
347.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 5