Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНовосядлый, С.П.
dc.date.accessioned2018-07-15T08:18:03Z
dc.date.available2018-07-15T08:18:03Z
dc.date.issued1998
dc.identifier.citationГеттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 39. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140766
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectДепонированные рукописиuk_UA
dc.titleГеттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИСuk_UA
dc.title.alternativeГеттерування домiшкiв та дефектiв у системнiй технологiї мiкроелектронiки ВIСuk_UA
dc.title.alternativeImpurities and defects gettering in system technology of LSIC microelectronicsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Novosiadly.pdf
Розмір:
79.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1998, № 2