Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKhrypunov, G.S.
dc.contributor.authorShelest, T.N.
dc.contributor.authorLi, T.N.
dc.contributor.authorMeriuts, A.V.
dc.contributor.authorKovtun, N.A.
dc.contributor.authorMakarov, A.V.
dc.contributor.authorAvksentyeva, L.V.
dc.date.accessioned2017-05-25T18:43:38Z
dc.date.available2017-05-25T18:43:38Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractShown in this work is the possibility to create industrial technology for production of solar cells FTO/CdS/CdTe. The technology includes annealing in freon processing step for activation of cadmium telluride base layers deposited by thermal vacuum evaporation. Solar cells with efficiency of 7% have been obtained. Structural and morphological researches allowed to identify interrelation between photovoltaic characteristics and features of the recrystalization process in base layers after annealing in freon as compared with the standard chloride treatment.uk_UA
dc.identifier.citationThin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer / G.S. Khrypunov, T.N. Shelest, T.N. Li, A.V. Meriuts, N.A. Kovtun, A.V. Makarov, L.V. Avksentyeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 122-126. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 84.60.Jt
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117654
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleThin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layeruk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
20-Khrypunov.pdf
Розмір:
354.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 1