Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOlikh, O.Ya.
dc.date.accessioned2017-05-28T16:43:00Z
dc.date.available2017-05-28T16:43:00Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractThe effects of microwave (2.45 GHz) treatment influence on the cross section for electron capture and the energy of the deep levels in the forbidden gap of GaAs monocrystals and n-n⁺ epitaxial structures have been investigated using acoustoelectric transient spectroscopy.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe author would like to thank Prof. R.V. Konakova for helpful discussions.uk_UA
dc.identifier.citationAcoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures / O.Ya. Olikh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 450-453. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.50.+b
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118085
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleAcoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Olikh.pdf
Розмір:
222.16 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4