Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОстафійчук, Б.К.
dc.contributor.authorТкачук, В.М.
dc.contributor.authorТкачук, О.М.
dc.contributor.authorПилипiв, В.М.
dc.contributor.authorГригорук, О.О.
dc.date.accessioned2010-02-04T10:22:02Z
dc.date.available2010-02-04T10:22:02Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractThe mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms up to a thermodynamical equilibrium state are studied.uk_UA
dc.identifier.citationМоделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату / Б.К. Остафiйчук, В.М. Ткачук, О.М. Ткачук, В.М. Пилипiв, О.О. Григорук // Доп. НАН України. — 2008. — № 7. — С. 82-85. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1025-6415
dc.identifier.udc548.73/.75+621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5732
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавничий дім "Академперіодика" НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФізикаuk_UA
dc.titleМоделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранатуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-07-15.pdf
Розмір:
185.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.79 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Доповіді НАН України, 2008, № 07