Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon

dc.contributor.authorNeimash, V.B.
dc.contributor.authorPuzenko, O.O.
dc.contributor.authorKraitchinskii, A.M.
dc.contributor.authorKrasko, M.M.
dc.contributor.authorPutselyk, S.
dc.contributor.authorClaeys, C.
dc.contributor.authorSimoen, E.
dc.date.accessioned2017-06-11T13:11:43Z
dc.date.available2017-06-11T13:11:43Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractActivation energy of thermal donors annealing increases from 1.7 to 2.5 eV on preliminary heat treatment of the Si crystals at 800⁰C. It is believed that this fact results from the dissolution of oxygen microfluctuations that are considered to be sources of intrinsic elastic strains and thereby to lie at the basis of locally accelerated oxygen diffusion.uk_UA
dc.identifier.citationMicrofluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon / V.B. Neimash, O.O. Puzenko, A.M. Kraitchinskii, M.M. Kras'ko, S.Putselyk, C. Claeys, E. Simoen // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 11-14. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.72.T, C, 66.30.L, 72.80.C, 73.61.C
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120226
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleMicrofluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Neimash.pdf
Розмір:
97.58 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: