Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВойцеховский, А.В.
dc.contributor.authorНесмелов, С.Н.
dc.contributor.authorКульчицкий Н.А.
dc.date.accessioned2014-01-25T11:07:42Z
dc.date.available2014-01-25T11:07:42Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractЭкспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.uk_UA
dc.identifier.citationЕмкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleЕмкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄uk_UA
dc.title.alternativeЄмнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄uk_UA
dc.title.alternativeThe capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Voitsekhovsky.pdf
Розмір:
141.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 4