Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorGritsook, B.N.
dc.contributor.authorFodchoock, I.M.
dc.contributor.authorNichiy, S.V.
dc.contributor.authorParanchich, U.S.
dc.contributor.authorPolitanskiy, R.L.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:55:27Z
dc.date.available2017-06-13T16:55:27Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractCd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se films received by laser evaporation method in conditions of static vacuum are investigated. Optimum temperature of a substrate is ascertained using structural and electrophysical measurements. It is shown that the used method enables one to receive films of CdxHg₁₋xSe solid solutions close to bulk material by their properties.uk_UA
dc.identifier.citationGrowing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum / B.N. Gritsook, I.M. Fodchoock, S.V. Nichiy, U.S. Paranchich, R.L. Politanskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 460-462. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 70.61.J
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121216
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleGrowing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuumuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Gritsook.pdf
Розмір:
338.62 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 4