Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором

Abstract

Рассмотрены структурные особенности поликристаллического покрытия нитрида галлия, сформированного на подложке из оксида кремния. Экспериментально показано, что по мере роста у кристаллов изменяется не только морфология поверхности, но и кристаллическая структура, а также электрофизические параметры. Показано, что топография поверхности кристаллов на начальном этапе осаждения покрытия формируется за счет диффузионного массопереноса.

Розглянуто особливості структури і властивостей полікристалічного покриття нітриду галію, згідно цих даних було побудовано фізико-математичну модель формування рельєфу поверхні на основі деформаційної теорії. Експериментально показано, що в міру зростання у кристалів змінюється не тільки морфологія поверхні, але і кристалічна структура, а так само електрофізичні параметри. Топографія поверхні кристалів формується за рахунок дифузійного масоперенесення. Поверхню кристалів нітриду галію досліджували методами оптичної, електронної і сканівної тунельної мікроскопії.

The features of the structure and properties of gallium nitride polycrystalline coat, according to these data was constructed physical and mathematical model of the surface relief on the basis of the deformation theory. Experimentally shown that the growth of crystals, not only the surface morphology and crystal structure, as well as the electrical parameters. Topography of the surface of the crystals formed by the diffusion mass transfer. Surface of the crystals of gallium nitride investigated by optical, electron and scanning tunneling microscopy.