Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorTkachenko, V.F.
dc.contributor.authorLukienko, O.A.
dc.contributor.authorBudnikov, A.T.
dc.contributor.authorVovk, E.A.
dc.contributor.authorKrivonogov, S.I.
dc.date.accessioned2018-06-15T12:37:46Z
dc.date.available2018-06-15T12:37:46Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationStructure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere / V.F. Tkachenko, O.A. Lukienko, A.T. Budnikov, E.A. Vovk, S.I. Krivonogov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 481-486. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135594
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectCharacterization and propertiesuk_UA
dc.titleStructure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphereuk_UA
dc.title.alternativeДосконалість структури монокристалів сапфіру, вирощених методом ГНК у відновлювальних умовахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Tkachenko.pdf
Розмір:
275.41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2011, № 4